T/CASAS 005-2022 用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 ,该文件为pdf格式 ,请用户放心下载!
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资源简介
本文件规定了用于硬开关切换电路的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）动态导通电阻测试方法。
本文件适用于进行GaN HEMT 的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：
a) GaN 增强型和耗尽型分立电力电子器件；
b) GaN 集成功率电路；
c) 以上的晶圆级及封装级产品。
本文件适用于进行GaN HEMT 的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：
a) GaN 增强型和耗尽型分立电力电子器件；
b) GaN 集成功率电路；
c) 以上的晶圆级及封装级产品。
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