JJF 2147-2024 直流磁屏蔽筒校准规范 , 该文件为pdf格式 ,请用户放心下载!
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资源简介
中华人民共和国国家计量技术规范
JJF2147—2024
直流磁屏蔽筒校准规范
CalibrationSpecificationforDC MagneticShieldingCylinders
2024-09-18发布2025-03-18实施
国家市场监督管理总局 发布
直流磁屏蔽筒校准规范
CalibrationSpecificationforDC Magnetic
ShieldingCylinders
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JJF2147—2024
归口单位:全国电磁计量技术委员会
主要起草单位:无锡市计量测试院
国防科技工业弱磁一级计量站
湖南省计量检测研究院
参加起草单位:怀化市检验检测中心
本规范委托全国电磁计量技术委员会负责解释
JJF2147—2024
本规范主要起草人:
严海东(无锡市计量测试院)
周昌剑(国防科技工业弱磁一级计量站)
王冠钧(无锡市计量测试院)
徐 昱(湖南省计量检测研究院)
参加起草人:
刘 娣(无锡市计量测试院)
张海波(国防科技工业弱磁一级计量站)
刘友良(怀化市检验检测中心)
JJF2147—2024
目 录
引言……………………………………………………………………………………… (Ⅱ)
1 范围…………………………………………………………………………………… (1)
2 引用文件……………………………………………………………………………… (1)
3 术语和计量单位……………………………………………………………………… (1)
4 概述…………………………………………………………………………………… (1)
5 计量特性……………………………………………………………………………… (2)
5.1 剩余磁场…………………………………………………………………………… (2)
5.2 直流磁屏蔽因数…………………………………………………………………… (2)
6 校准条件……………………………………………………………………………… (2)
6.1 环境条件…………………………………………………………………………… (2)
6.2 测量标准及其他设备……………………………………………………………… (2)
7 校准项目和校准方法………………………………………………………………… (2)
7.1 校准项目…………………………………………………………………………… (2)
7.2 校准方法…………………………………………………………………………… (3)
8 校准结果表达………………………………………………………………………… (4)
9 复校时间间隔………………………………………………………………………… (4)
附录A 剩余磁场测量不确定度评定示例…………………………………………… (5)
附录B 校准原始记录格式…………………………………………………………… (7)
附录C 校准证书内页格式…………………………………………………………… (9)
Ⅰ
JJF2147—2024
引 言
JJF1071—2010 《国家计量校准规范编写规则》、JJF1001—2011 《通用计量术语及
定义》和JJF1059.1—2012 《测量不确定度评定与表示》共同构成支撑本校准规范编制
工作的基础性系列规范。
本规范为首次发布。
Ⅱ
JJF2147—2024
直流磁屏蔽筒校准规范
1 范围
本规范适用于剩余磁场为0.1nT~100nT 的直流磁屏蔽筒(以下简称磁屏蔽筒)
的校准。
2 引用文件
本规范引用了下列文件:
JJF1013—1989 磁学计量常用名词术语及定义(试行)
凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于该规范;凡是不注日期的引用文
件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本规范。
3 术语和计量单位
3.1 剩余磁场 residualmagneticfield
在地磁场环境下,磁屏蔽筒消磁以后内部剩余的磁感应强度(磁通密度)。
注:单位为纳特(nT),用符号Bres表示。
3.2 直流磁屏蔽因数 DCmagneticshieldingfactor
均匀分布的外磁场Be 与放置磁屏蔽后内部同一点磁场Bi 之比,以对数方式表示。
注:单位为分贝(dB),用符号SE 表示,即SE=20lgBe
Bi
。
4 概述
磁屏蔽筒是由具有一定厚度的高磁导率材料制成的圆柱形或者方形壳体,由于壳体
材料的磁导率比空气大得多,当外部磁场经过壳体时,绝大部分磁力线从壳层壁通过,
而壳层内的空腔中磁力线很少,从而达到磁屏蔽的作用(如图1)。一般配备相应的消
磁器来消磁。磁屏蔽筒主要用于屏蔽地磁场,广泛应用于航空、航天、航海、地质、地
磁物理等领域。
图1 圆柱形磁屏蔽筒原理结构图
1
JJF2147—2024
5 计量特性
5.1 剩余磁场
一般为0.1nT~100nT。
5.2 直流磁屏蔽因数
一般为50dB~120dB。
注:以上指标不用于合格性判别,仅供参考。
6 校准条件
6.1 环境条件
环境温度:10℃~30℃;
相对湿度:不大于80%;
干扰磁场:周围无明显影响测量的强电磁干扰。
6.2 测量标准及其他设备
6.2.1 单分量磁通门磁强计
单分量磁通门磁强计(简称磁通门磁强计),在-100nT~+100nT 磁场范围内,
最大允许误差为±1nT。磁通门磁强计零点漂移要求见表1。
表1 磁通门磁强计零点漂移要求
序号剩余磁场范围零点漂移
1 0.1nT~1nT (包含1nT) ≤0.1nT/10min
2 >1nT~10nT (包含10nT) ≤0.3nT/10min
3 >10nT~100nT ≤1nT/10min
6.2.2 恒定磁场线圈
产生的最大磁场不小于100μT,线圈常数最大允许误差为±2%;开口尺寸应能覆
盖磁屏蔽筒,Φ200mm 范围内磁场非均匀性不超过5%。
6.2.3 直流稳流电源
输出直流电流应满足恒定磁场线圈产生最大磁场的要求,最大允许误差为±1%,
稳定性为±0.1%/10min。
6.2.4 无磁测量支架
应有尺寸刻度,最大允许误差为±5mm,杂散磁场不超过0.1nT。
注:测量支架建议使用非金属材质。
7 校准项目和校准方法
7.1 校准项目
表2 校准项目一览表
序号校准项目计量特性条款校准方法条款
1 剩余磁场5.1 7.2.1
2 直流磁屏蔽因数5.2 7.2.2
2
JJF2147—2024
7.2 校准方法
7.2.1 剩余磁场
步骤如下:
a)将磁屏蔽筒开口沿东西方向放置。
b)盖上屏蔽盖,按使用说明书对磁屏蔽筒进行消磁。
c)将磁通门磁强计的探头固定在无磁测量支架上,使其磁轴与磁屏蔽筒的中心轴
平行,放入磁屏蔽筒工作区内。
d)根据磁屏蔽筒中心轴的长度,选择测量点位置(以使用要求为准)。以磁屏蔽
筒的工作区中心点为中心,一般均匀选择5~7个测量点位置,这些测量点应覆盖工作
区(见图2)。
e)移动无磁测量支架,并记录磁通门磁强计探头正向时的示值B + 和对应的测量
点的位置距离。
f)将磁通门磁强计的探头方向改变180°安装在无磁测量支架上,在以上的测量点
位置重复以上步骤,记录磁通门磁强计探头反向时的示值B - 。
g)剩余磁场按公式(1)计算。
Bres=|B+-B-|
2 (1)
式中:
Bres———剩余磁场,nT;
B + ———磁通门磁强计探头正向时的示值,nT;
B - ———磁通门磁强计探头反向时的示值,nT。
图2 采用磁通门磁强计校准剩余磁场示意图
7.2.2 直流磁屏蔽因数
步骤如下:
a)将磁屏蔽筒放置在恒定磁场线圈的均匀区内,开口方向与线圈磁轴方向一致。
b)将磁通门磁强计的探头固定在无磁测量支架上,使其磁轴与磁屏蔽筒的中心轴
平行并置于其中心点。
c)直流稳流电源正向输出电流,使恒定磁场线圈产生不小于100μT的磁场,记录
电流值I 和磁通门磁强计的示值Bi+ 。
d)保持直流稳流电源输出电流值不变,反向输出电流,记录磁通门磁强计的示
值Bi- 。
3
JJF2147—2024
e)恒定磁场线圈产生的磁感应强度Be 按公式(2)计算。
Be=KBI (2)
式中:
Be ———恒定磁场线圈产生的磁感应强度,nT;
I ———直流稳流电源输出的电流值,A;
KB———恒定磁场线圈的线圈常数,nT/A。
f)直流磁屏蔽因数SE 按公式(3)计算。
SE =20lg 2Be
Bi+ -Bi- (3)
式中:
Bi+ ———正向输出电流时磁通门磁强计的示值,nT;
Bi- ———反向输出电流时磁通门磁强计的示值,nT。
8 校准结果表达
校准结果应在校准证书(报告)上反映,校准证书(报告)应至少包括以下信息:
a)标题,如“校准证书”;
b)实验室名称和地址;
c)进行校准的地点(如果与实验室的地址不同);
d)证书或报告的唯一性标识(如编号),每页及总页数的标识;
e)客户的名称和地址;
f)被校对象的描述和明确标识;
g)进行校准的日期,如果与校准结果的有效性和应用有关时,应说明被校对象的
接收日期;
h)如果与校准结果的有效性或应用有关时,应对被校样品的抽样程序进行说明;
i)对校准所依据的技术规范的标识,包括名称及代号;
j)本次校准所用测量标准的溯源性及有效性说明;
k)校准环境的描述;
l)校准结果及其测量不确定度的说明;
m)对校准规范的偏离的说明;
n)校准证书和校准报告签发人的签名、职务或等效标识;
o)校准结果仅对被校对象有效的声明;
p)未经实验室书面批准,不得部分复制证书或报告的声明。
校准原始记录格式见附录B,校准证书(报告)内页格式见附录C。
9 复校时间间隔
建议复校时间间隔为1年。送校单位也可根据实际使用情况自主决定复校时间
间隔。
4
JJF2147—2024
附录A
剩余磁场测量不确定度评定示例
A.1 测量方法
环境条件:温度21.2℃,相对湿度62%;
测量标准:磁通门磁强计,无磁测量支架;
被测对象:磁屏蔽筒;
测量方法:盖上屏蔽盖消磁后,将磁通门磁强计固定在无磁测量支架上,放入磁屏
蔽筒工作区内的中心点位置,记录磁通门磁强计探头正向时的示值B + 和反向时的示
值B - 。
A.2 测量模型
磁屏蔽筒的剩余磁场按照公式(A.1)计算。
Bres=
B+-B-
2 (A.1)
式中:
Bres———剩余磁场,nT;
B + ———磁通门磁强计探头正向测量时的示值,nT;
B - ———磁通门磁强计探头反向测量时的示值,nT。
A.3 测量不确定度的主要来源
由于B + 和B - 正强相关,所以磁通门磁强计测量不准引入的不确定度可以抵消,
测量不确定度的主要来源包括:
a)由磁通门磁强计探头正/反向测量重复性引入的标准不确定度u1(Bres);
b)由磁通门磁强计零点漂移引入的标准不确定度u2(Bres);
c)由磁通门磁强计分辨力引入的标准不确定度u3(Bres)。
A.4 标准不确定度评定
A.4.1 由磁通门磁强计探头正/反向测量重复性引入的标准不确定度u1(Bres)
在重复性条件下,磁通门磁强计正/反向测量作为一组数据,连续10次独立测量,
得到的测量数据见表A.1。
表A.1 磁通门磁强计正/反向测量重复性测量数据
第n 次测量正向示值/nT 反向示值/nT 剩余磁场值/nT
1 0.0 -0.2 0.1
2 0.1 -0.1 0.1
3 0.0 -0.2 0.1
4 0.0 -0.3 0.15
5 -0.1 0.0 0.05
5
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表A.1 (续)
第n 次测量正向示值/nT 反向示值/nT 剩余磁场值/nT
6 -0.2 0.1 0.15
7 -0.2 -0.1 0.05
8 -0.1 0.1 0.1
9 0.0 -0.1 0.05
10 0.1 -0.1 0.1
由表A.1和贝塞尔公式计算出实验标准偏差s=0.037nT。
用单次测量值作为校准结果,测量重复性引入的标准不确定度为
u1(Bres)=s=0.037nT
A.4.2 由磁通门磁强计零点漂移引入的标准不确定度u2(Bres)
磁通门磁强计零点漂移为0.1nT/10min,为均匀分布,取包含因子k= 3,则由
磁通门磁强计零点漂移引入的标准不确定度u2(Bres)为
u2(Bres)=0.1nT
3 =0.058nT
A.4.3 由磁通门磁强计的分辨力引入的标准不确定度u3(Bres)
磁通门磁强计的分辨力为0.1nT,半宽度为0.05nT,为均匀分布,取包含因子k=
3,则由磁通门磁强计的分辨力引入的标准不确定度u3(Bres)为
u3(Bres)=0.05nT
3 =0.029nT
A.5 标准不确定度一览表
各标准不确定度见表A.2。
表A.2 标准不确定度汇总
标准不确定度符号不确定度来源评定方法分布类型k 标准不确定度
u1(Bres) 磁通门磁强计正/反向
测量重复性A 类——— ——— 0.037nT
u2(Bres) 磁通门磁强计零点漂移B类均匀3 0.058nT
u3(Bres) 磁通门磁强计分辨力B类均匀3 0.029nT
由于磁通门磁强计测量重复性和磁通门磁强计分辨力引入的不确定度重复计算,两
者取其大者,故舍去磁通门磁强计分辨力引入的标准不确定度。
A.6 合成标准不确定度的计算
各输入量的不确定度分量之间不相关,则合成标准不确定度为
uc(Bres)= u21(Bres)+u22(Bres)=0.069nT
A.7 扩展不确定度的确定
取包含因子k=2,则扩展不确定度为
U(Bres)=kuc(Bres)=0.2nT
6
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附录B
校准原始记录格式
直流磁屏蔽筒校准原始记录
证书编号:
送校仪器信息:
委托单号送校单位
名 称制造单位
型号/规格出厂编号
校准环境条件及地点:
温 度℃ 地 点
相对湿度% 其 他
校准所依据的技术文件(代号、名称):
校准所使用的主要测量标准:
名 称测量范围
不确定度/
准确度等级
证书编号
证书有效期至
(YYYY-MM-DD)
第 页 共 页
7
JJF2147—2024
直流磁屏蔽筒校准原始记录
证书编号:
校准结果记录
1 剩余磁场
测试位置
(距离中心点)/cm
正向示值
B+/nT
反向示值
B-/nT
剩余磁场
Bres/nT
测量不确定度
U/nT (k=2)
2 直流磁屏蔽因数
恒定磁场线圈的线圈常数KB= nT/A
电流示值
I/A
磁场实际值
Be/nT
正向示值
Bi+/nT
反向示值
Bi-/nT
直流磁屏蔽因数
SE/dB
测量不确定度
U/dB (k=2)
校准员: 核验员: 校准日期: 年 月 日
第 页 共 页
8
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附录C
校准证书内页格式
证书编号××××××—××××
<校准机构授权说明>
校准结果不确定度的评估和表述均符合JJF1059.1的要求。
校准环境条件及地点:
温 度℃ 地 点
相对湿度% 其 他
校准所依据的技术文件(代号、名称):
校准所使用的主要测量标准:
名 称测量范围
不确定度/
准确度等级
证书编号
证书有效期至
(YYYY-MM-DD)
第×页 共×页
9
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证书编号××××××—××××
校准结果
1. 剩余磁场
测试位置(距离中心点)
cm
剩余磁场Bres
nT
测量不确定度U (k=2)
nT
2. 直流磁屏蔽因数
直流磁屏蔽因数SE
dB
测量不确定度U (k=2)
dB
说明:
根 据客户要求和校准文件的规定,通常情况下 个月校准一次。
声明:
1. 仅对加盖“×××××校准专用章”的完整证书负责。
2. 本证书的校准结果仅对本次所校准的计量器具有效。
校准员: 核验员:
第×页 共×页
10
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JJF2147—2024
直流磁屏蔽筒校准规范
CalibrationSpecificationforDC MagneticShieldingCylinders
2024-09-18发布2025-03-18实施
国家市场监督管理总局 发布
直流磁屏蔽筒校准规范
CalibrationSpecificationforDC Magnetic
ShieldingCylinders
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JJF2147—2024
归口单位:全国电磁计量技术委员会
主要起草单位:无锡市计量测试院
国防科技工业弱磁一级计量站
湖南省计量检测研究院
参加起草单位:怀化市检验检测中心
本规范委托全国电磁计量技术委员会负责解释
JJF2147—2024
本规范主要起草人:
严海东(无锡市计量测试院)
周昌剑(国防科技工业弱磁一级计量站)
王冠钧(无锡市计量测试院)
徐 昱(湖南省计量检测研究院)
参加起草人:
刘 娣(无锡市计量测试院)
张海波(国防科技工业弱磁一级计量站)
刘友良(怀化市检验检测中心)
JJF2147—2024
目 录
引言……………………………………………………………………………………… (Ⅱ)
1 范围…………………………………………………………………………………… (1)
2 引用文件……………………………………………………………………………… (1)
3 术语和计量单位……………………………………………………………………… (1)
4 概述…………………………………………………………………………………… (1)
5 计量特性……………………………………………………………………………… (2)
5.1 剩余磁场…………………………………………………………………………… (2)
5.2 直流磁屏蔽因数…………………………………………………………………… (2)
6 校准条件……………………………………………………………………………… (2)
6.1 环境条件…………………………………………………………………………… (2)
6.2 测量标准及其他设备……………………………………………………………… (2)
7 校准项目和校准方法………………………………………………………………… (2)
7.1 校准项目…………………………………………………………………………… (2)
7.2 校准方法…………………………………………………………………………… (3)
8 校准结果表达………………………………………………………………………… (4)
9 复校时间间隔………………………………………………………………………… (4)
附录A 剩余磁场测量不确定度评定示例…………………………………………… (5)
附录B 校准原始记录格式…………………………………………………………… (7)
附录C 校准证书内页格式…………………………………………………………… (9)
Ⅰ
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引 言
JJF1071—2010 《国家计量校准规范编写规则》、JJF1001—2011 《通用计量术语及
定义》和JJF1059.1—2012 《测量不确定度评定与表示》共同构成支撑本校准规范编制
工作的基础性系列规范。
本规范为首次发布。
Ⅱ
JJF2147—2024
直流磁屏蔽筒校准规范
1 范围
本规范适用于剩余磁场为0.1nT~100nT 的直流磁屏蔽筒(以下简称磁屏蔽筒)
的校准。
2 引用文件
本规范引用了下列文件:
JJF1013—1989 磁学计量常用名词术语及定义(试行)
凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于该规范;凡是不注日期的引用文
件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本规范。
3 术语和计量单位
3.1 剩余磁场 residualmagneticfield
在地磁场环境下,磁屏蔽筒消磁以后内部剩余的磁感应强度(磁通密度)。
注:单位为纳特(nT),用符号Bres表示。
3.2 直流磁屏蔽因数 DCmagneticshieldingfactor
均匀分布的外磁场Be 与放置磁屏蔽后内部同一点磁场Bi 之比,以对数方式表示。
注:单位为分贝(dB),用符号SE 表示,即SE=20lgBe
Bi
。
4 概述
磁屏蔽筒是由具有一定厚度的高磁导率材料制成的圆柱形或者方形壳体,由于壳体
材料的磁导率比空气大得多,当外部磁场经过壳体时,绝大部分磁力线从壳层壁通过,
而壳层内的空腔中磁力线很少,从而达到磁屏蔽的作用(如图1)。一般配备相应的消
磁器来消磁。磁屏蔽筒主要用于屏蔽地磁场,广泛应用于航空、航天、航海、地质、地
磁物理等领域。
图1 圆柱形磁屏蔽筒原理结构图
1
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5 计量特性
5.1 剩余磁场
一般为0.1nT~100nT。
5.2 直流磁屏蔽因数
一般为50dB~120dB。
注:以上指标不用于合格性判别,仅供参考。
6 校准条件
6.1 环境条件
环境温度:10℃~30℃;
相对湿度:不大于80%;
干扰磁场:周围无明显影响测量的强电磁干扰。
6.2 测量标准及其他设备
6.2.1 单分量磁通门磁强计
单分量磁通门磁强计(简称磁通门磁强计),在-100nT~+100nT 磁场范围内,
最大允许误差为±1nT。磁通门磁强计零点漂移要求见表1。
表1 磁通门磁强计零点漂移要求
序号剩余磁场范围零点漂移
1 0.1nT~1nT (包含1nT) ≤0.1nT/10min
2 >1nT~10nT (包含10nT) ≤0.3nT/10min
3 >10nT~100nT ≤1nT/10min
6.2.2 恒定磁场线圈
产生的最大磁场不小于100μT,线圈常数最大允许误差为±2%;开口尺寸应能覆
盖磁屏蔽筒,Φ200mm 范围内磁场非均匀性不超过5%。
6.2.3 直流稳流电源
输出直流电流应满足恒定磁场线圈产生最大磁场的要求,最大允许误差为±1%,
稳定性为±0.1%/10min。
6.2.4 无磁测量支架
应有尺寸刻度,最大允许误差为±5mm,杂散磁场不超过0.1nT。
注:测量支架建议使用非金属材质。
7 校准项目和校准方法
7.1 校准项目
表2 校准项目一览表
序号校准项目计量特性条款校准方法条款
1 剩余磁场5.1 7.2.1
2 直流磁屏蔽因数5.2 7.2.2
2
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7.2 校准方法
7.2.1 剩余磁场
步骤如下:
a)将磁屏蔽筒开口沿东西方向放置。
b)盖上屏蔽盖,按使用说明书对磁屏蔽筒进行消磁。
c)将磁通门磁强计的探头固定在无磁测量支架上,使其磁轴与磁屏蔽筒的中心轴
平行,放入磁屏蔽筒工作区内。
d)根据磁屏蔽筒中心轴的长度,选择测量点位置(以使用要求为准)。以磁屏蔽
筒的工作区中心点为中心,一般均匀选择5~7个测量点位置,这些测量点应覆盖工作
区(见图2)。
e)移动无磁测量支架,并记录磁通门磁强计探头正向时的示值B + 和对应的测量
点的位置距离。
f)将磁通门磁强计的探头方向改变180°安装在无磁测量支架上,在以上的测量点
位置重复以上步骤,记录磁通门磁强计探头反向时的示值B - 。
g)剩余磁场按公式(1)计算。
Bres=|B+-B-|
2 (1)
式中:
Bres———剩余磁场,nT;
B + ———磁通门磁强计探头正向时的示值,nT;
B - ———磁通门磁强计探头反向时的示值,nT。
图2 采用磁通门磁强计校准剩余磁场示意图
7.2.2 直流磁屏蔽因数
步骤如下:
a)将磁屏蔽筒放置在恒定磁场线圈的均匀区内,开口方向与线圈磁轴方向一致。
b)将磁通门磁强计的探头固定在无磁测量支架上,使其磁轴与磁屏蔽筒的中心轴
平行并置于其中心点。
c)直流稳流电源正向输出电流,使恒定磁场线圈产生不小于100μT的磁场,记录
电流值I 和磁通门磁强计的示值Bi+ 。
d)保持直流稳流电源输出电流值不变,反向输出电流,记录磁通门磁强计的示
值Bi- 。
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JJF2147—2024
e)恒定磁场线圈产生的磁感应强度Be 按公式(2)计算。
Be=KBI (2)
式中:
Be ———恒定磁场线圈产生的磁感应强度,nT;
I ———直流稳流电源输出的电流值,A;
KB———恒定磁场线圈的线圈常数,nT/A。
f)直流磁屏蔽因数SE 按公式(3)计算。
SE =20lg 2Be
Bi+ -Bi- (3)
式中:
Bi+ ———正向输出电流时磁通门磁强计的示值,nT;
Bi- ———反向输出电流时磁通门磁强计的示值,nT。
8 校准结果表达
校准结果应在校准证书(报告)上反映,校准证书(报告)应至少包括以下信息:
a)标题,如“校准证书”;
b)实验室名称和地址;
c)进行校准的地点(如果与实验室的地址不同);
d)证书或报告的唯一性标识(如编号),每页及总页数的标识;
e)客户的名称和地址;
f)被校对象的描述和明确标识;
g)进行校准的日期,如果与校准结果的有效性和应用有关时,应说明被校对象的
接收日期;
h)如果与校准结果的有效性或应用有关时,应对被校样品的抽样程序进行说明;
i)对校准所依据的技术规范的标识,包括名称及代号;
j)本次校准所用测量标准的溯源性及有效性说明;
k)校准环境的描述;
l)校准结果及其测量不确定度的说明;
m)对校准规范的偏离的说明;
n)校准证书和校准报告签发人的签名、职务或等效标识;
o)校准结果仅对被校对象有效的声明;
p)未经实验室书面批准,不得部分复制证书或报告的声明。
校准原始记录格式见附录B,校准证书(报告)内页格式见附录C。
9 复校时间间隔
建议复校时间间隔为1年。送校单位也可根据实际使用情况自主决定复校时间
间隔。
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附录A
剩余磁场测量不确定度评定示例
A.1 测量方法
环境条件:温度21.2℃,相对湿度62%;
测量标准:磁通门磁强计,无磁测量支架;
被测对象:磁屏蔽筒;
测量方法:盖上屏蔽盖消磁后,将磁通门磁强计固定在无磁测量支架上,放入磁屏
蔽筒工作区内的中心点位置,记录磁通门磁强计探头正向时的示值B + 和反向时的示
值B - 。
A.2 测量模型
磁屏蔽筒的剩余磁场按照公式(A.1)计算。
Bres=
B+-B-
2 (A.1)
式中:
Bres———剩余磁场,nT;
B + ———磁通门磁强计探头正向测量时的示值,nT;
B - ———磁通门磁强计探头反向测量时的示值,nT。
A.3 测量不确定度的主要来源
由于B + 和B - 正强相关,所以磁通门磁强计测量不准引入的不确定度可以抵消,
测量不确定度的主要来源包括:
a)由磁通门磁强计探头正/反向测量重复性引入的标准不确定度u1(Bres);
b)由磁通门磁强计零点漂移引入的标准不确定度u2(Bres);
c)由磁通门磁强计分辨力引入的标准不确定度u3(Bres)。
A.4 标准不确定度评定
A.4.1 由磁通门磁强计探头正/反向测量重复性引入的标准不确定度u1(Bres)
在重复性条件下,磁通门磁强计正/反向测量作为一组数据,连续10次独立测量,
得到的测量数据见表A.1。
表A.1 磁通门磁强计正/反向测量重复性测量数据
第n 次测量正向示值/nT 反向示值/nT 剩余磁场值/nT
1 0.0 -0.2 0.1
2 0.1 -0.1 0.1
3 0.0 -0.2 0.1
4 0.0 -0.3 0.15
5 -0.1 0.0 0.05
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表A.1 (续)
第n 次测量正向示值/nT 反向示值/nT 剩余磁场值/nT
6 -0.2 0.1 0.15
7 -0.2 -0.1 0.05
8 -0.1 0.1 0.1
9 0.0 -0.1 0.05
10 0.1 -0.1 0.1
由表A.1和贝塞尔公式计算出实验标准偏差s=0.037nT。
用单次测量值作为校准结果,测量重复性引入的标准不确定度为
u1(Bres)=s=0.037nT
A.4.2 由磁通门磁强计零点漂移引入的标准不确定度u2(Bres)
磁通门磁强计零点漂移为0.1nT/10min,为均匀分布,取包含因子k= 3,则由
磁通门磁强计零点漂移引入的标准不确定度u2(Bres)为
u2(Bres)=0.1nT
3 =0.058nT
A.4.3 由磁通门磁强计的分辨力引入的标准不确定度u3(Bres)
磁通门磁强计的分辨力为0.1nT,半宽度为0.05nT,为均匀分布,取包含因子k=
3,则由磁通门磁强计的分辨力引入的标准不确定度u3(Bres)为
u3(Bres)=0.05nT
3 =0.029nT
A.5 标准不确定度一览表
各标准不确定度见表A.2。
表A.2 标准不确定度汇总
标准不确定度符号不确定度来源评定方法分布类型k 标准不确定度
u1(Bres) 磁通门磁强计正/反向
测量重复性A 类——— ——— 0.037nT
u2(Bres) 磁通门磁强计零点漂移B类均匀3 0.058nT
u3(Bres) 磁通门磁强计分辨力B类均匀3 0.029nT
由于磁通门磁强计测量重复性和磁通门磁强计分辨力引入的不确定度重复计算,两
者取其大者,故舍去磁通门磁强计分辨力引入的标准不确定度。
A.6 合成标准不确定度的计算
各输入量的不确定度分量之间不相关,则合成标准不确定度为
uc(Bres)= u21(Bres)+u22(Bres)=0.069nT
A.7 扩展不确定度的确定
取包含因子k=2,则扩展不确定度为
U(Bres)=kuc(Bres)=0.2nT
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附录B
校准原始记录格式
直流磁屏蔽筒校准原始记录
证书编号:
送校仪器信息:
委托单号送校单位
名 称制造单位
型号/规格出厂编号
校准环境条件及地点:
温 度℃ 地 点
相对湿度% 其 他
校准所依据的技术文件(代号、名称):
校准所使用的主要测量标准:
名 称测量范围
不确定度/
准确度等级
证书编号
证书有效期至
(YYYY-MM-DD)
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直流磁屏蔽筒校准原始记录
证书编号:
校准结果记录
1 剩余磁场
测试位置
(距离中心点)/cm
正向示值
B+/nT
反向示值
B-/nT
剩余磁场
Bres/nT
测量不确定度
U/nT (k=2)
2 直流磁屏蔽因数
恒定磁场线圈的线圈常数KB= nT/A
电流示值
I/A
磁场实际值
Be/nT
正向示值
Bi+/nT
反向示值
Bi-/nT
直流磁屏蔽因数
SE/dB
测量不确定度
U/dB (k=2)
校准员: 核验员: 校准日期: 年 月 日
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附录C
校准证书内页格式
证书编号××××××—××××
<校准机构授权说明>
校准结果不确定度的评估和表述均符合JJF1059.1的要求。
校准环境条件及地点:
温 度℃ 地 点
相对湿度% 其 他
校准所依据的技术文件(代号、名称):
校准所使用的主要测量标准:
名 称测量范围
不确定度/
准确度等级
证书编号
证书有效期至
(YYYY-MM-DD)
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证书编号××××××—××××
校准结果
1. 剩余磁场
测试位置(距离中心点)
cm
剩余磁场Bres
nT
测量不确定度U (k=2)
nT
2. 直流磁屏蔽因数
直流磁屏蔽因数SE
dB
测量不确定度U (k=2)
dB
说明:
根 据客户要求和校准文件的规定,通常情况下 个月校准一次。
声明:
1. 仅对加盖“×××××校准专用章”的完整证书负责。
2. 本证书的校准结果仅对本次所校准的计量器具有效。
校准员: 核验员:
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